Capacidad 1TB (1024GB) Forma de Factor M.2(2280) Interfaz PCIe Gen3×4 Máxima velocidad de lectura secuencial de 128 K 2100 MB/s Máxima velocidad de escritura secuencial de 128 K 1800 MB/s Máxima IOPS de lectura aleatoria de 4 K 135 K Máxima IOPS de escritura aleatoria de 4 K 128 K Consumo de Potencia Lectura (RMS máx.) 5.9 W Escritura (RMS máx.) 6.1 W Resistencia (TBW) 640 TB Memoria flash NAND 3D TLC Peso = 8 g MTBF (tiempo medio entre fallos) 1,500,000 h Temperatura de Operación 0 °C a 70 °C (32 °F a 158 °F) Humedad de Operación 5% a 95% (Sin condensación)